作者:   發(fā)布時間:2014/6/17 9:32:33   瀏覽次數(shù):2417

KST壓力傳感器在義齒力學研究中的應用

義齒下方粘膜及粘膜下方的力學性能研究，對于義齒修復后，義齒下方粘膜及粘膜下方的骨組織所承受的作用力機理研究有重要意義。指導修復形狀，使作用力在允許范圍之內(nèi)，并對作用力超過允許力時，對支持組織產(chǎn)生損傷進行評價。多年來，對這個作用力的測定一直為口腔修復學界和醫(yī)用傳感器研究者所關注，且現(xiàn)有的測定方法多是在義齒基托下方粘貼一個貼片壓阻式壓力傳感器，但貼片壓阻式壓力傳感器的彈性模量與義齒基托不一致，與檢測組織表面也不吻合，也難與周圍基托表面平齊，所測力的大小誤差比較大，而且難以測定出力的分布情況_1 ]。針對這些問題，文中采用KST電容式壓力傳感器的原理，設計了一個長x寬x高為2．2 mmx 1．8 mmx 0．6mm的KST電容式壓力傳感器，再采用分布式埋植入義齒基托內(nèi)的方法，能夠準確測試出義齒下方粘膜及粘膜下方的骨組織所承受的力和力的分布。該傳感器結構穩(wěn)定，測量穩(wěn)定性好，具有良好的線性度，力的最小分辨率為0．1克，靈敏度高，能夠在一100℃～200℃ 的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，具有寬的溫度適用范圍，能夠適用于口腔的惡劣環(huán)境下作用力的測定。

　　1 傳感器的工藝流程

　　傳感器是采用KST工藝來實現(xiàn)_34]，采用到的工藝有：氧化、光刻、套刻、擴散、ICP刻、鍍膜、硅一玻璃鍵合等工藝。加工過程主要包括硅片上的加工工藝，玻璃上的加工工藝，以及硅一玻璃鍵合后的加工工藝。

　　半導體硅片經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、擴散、再氧化、套刻、刻蝕，從而完成了硅片正面的工藝，主要包括凹槽和絕緣層的形成。反面再經(jīng)過反面光刻、刻蝕、形成正負電極引出線PAD和填充凹槽。其中，擴散的目的是為了形成2 m左右的功能性硼硅膜(P+膜)，在進行擴散前，對硅片應進行標準清洗。由于擴散時，硅表面會與氧氣發(fā)生作用而形成了一層硼硅玻璃，所以要去除。使用濕法腐蝕去表面多余附著的硼硅玻璃。在玻璃的加工中，選用廈門福芯微電子科技有限公司的7740玻璃晶片，經(jīng)過光刻、鍍膜形成玻璃上濺射的金屬層，即為下極板金屬電極。再經(jīng)過硅一玻璃鍵合、刻蝕、ICP刻、鍍膜，從而完成了整個傳感器的制作。在一片硅片上集成的器件，通過切片將硅片劃分為一個個的小器件，以便下一步的封裝和測試。

　　2 封裝和測試

KST壓力傳感器在義齒力學研究中的應用

　　在對單個傳感器負載下的壓力測試中，本課題組采用的方法是：使用與義齒基托相同材料的樹脂作為底基，在樹脂上挖一個邊長為2 mm平整的方形小坑，將傳感器埋植進去，再采用相同材料的冷凝樹脂和義齒基托專用樹脂混合，滴在傳感器表面封裝平整，使其平面與底基平面一致，待其凝固后，就可以得到表面材質(zhì)與義齒材質(zhì)一致的覆蓋面，封裝后如圖1所示。

封裝后圖形

　　在對埋植在底基中的傳感器施加040．67 MPa(0-90 psi)范圍內(nèi)的壓力進行施加壓力與輸出電壓的關系進行測試，得到如圖2所示的測試電容時所施壓力與輸出電壓的分布關系和多項式擬合曲線。在圖2中，對其中一點進行測試并對測試的各點進行多項式擬合，得到的擬合趨勢線的R平方值為0．9901，表明測試中輸出的電壓分布和擬合曲線具有良好的擬合度，在后續(xù)工作中編程時以趨勢線作為外界施加壓力與輸出電壓的對應關系，其誤差值很小。

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標簽:
壓力傳感器

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